远见网钛媒体App 8月7日,SK海力士在其FMS 2026峰会新闻稿中确认,其继321层V9 “4D NAND”后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。
这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能,专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。
(广角观察)
【SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠,导入晶圆键合技术】
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钛媒体-快讯
钛媒体App 8月7日,SK海力士在其FMS 2026峰会新闻稿中确认,其继321层V9 “4D NAND”后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。
这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能,专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。
(广角观察)
