远见网钛媒体App 9月8日,英特尔晶圆代工(Intel Foundry)与阿斯麦(ASML)宣布,双方正持续推进高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术的量产应用。英特尔目前已通过早期设备认证、研发及部分量产环节处理超过100万片晶圆,高NA EUV已用于英特尔酷睿Ultra 3系列处理器“Panther Lake”部分层的量产。英特尔表示,采用高NA EUV的英特尔18A制程产品性能达到或超过使用传统0.33数值孔径EUV光刻平台的同类层。
双方还将继续推动光罩从目前的6英寸向6×12英寸大尺寸光罩过渡,同时通过光罩拼接技术,让客户在现有6英寸光罩条件下获得高NA EUV的部分优势。(广角观察)
