【铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片,采用1T4R存储结构】

钛媒体App 10月14日,铭芯启睿(MemSilicon)近日宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号(MountTai 2026)”流片,目前正推进芯片验证。

该芯片采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构,单芯片容量达1Gb,存储密度为30Mb/mm2,访问延时小于20ns,并集成片上硬件纠错电路。

据悉,1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元,以提高存储密度。(广角观察)