钛媒体App 7月14日消息,以色列芯片制造商Tower Semiconductor宣布,将投资30亿美元加强在日本的芯片制造,其中包括来自日本政府的10亿美元拨款。
声明称,第一阶段将大幅增加300毫米硅光子器件产能,预计将于2027年第四季度全面投产。该阶段包括改造原Fab 6工厂,使其具备300毫米硅光子器件产能和先进封装能力。
第二阶段将与第一阶段同步启动,包括在Fab 7工厂旁新建一座300毫米光刻机制造厂。(广角观察)
钛媒体App 7月14日消息,以色列芯片制造商Tower Semiconductor宣布,将投资30亿美元加强在日本的芯片制造,其中包括来自日本政府的10亿美元拨款。
声明称,第一阶段将大幅增加300毫米硅光子器件产能,预计将于2027年第四季度全面投产。该阶段包括改造原Fab 6工厂,使其具备300毫米硅光子器件产能和先进封装能力。
第二阶段将与第一阶段同步启动,包括在Fab 7工厂旁新建一座300毫米光刻机制造厂。(广角观察)

