远见网钛媒体App 7月13日消息,AI技术热潮翻涌,对尖端芯片的需求旺盛,但全球芯片供应仍受限于几家公司的技术和产能。美国《福布斯》双周刊网站在近期报道中指出,随着新兴技术不断崛起,全球尖端芯片制造方式有望在2030年迎来巨变。EUV光刻虽是当下主流,却并非将微小晶体管“画”在硅片上的唯一路径。一批着眼于未来的光刻新技术,正蓄势待发。它们有望替代EUV光刻,重塑尖端芯片的制造方式。
原子光刻抛开“光”改用原子束在硅片上蚀刻极微小的图案。一旦成功,它能将特征尺寸在EUV光刻的基础上再缩小一至两个数量级。另一值得关注的前沿方案是X射线光刻。它依旧沿用“光”的范式,却将其推向极致:X射线在电磁波谱中比极紫外光更靠外,波长更短(可低于1纳米),能量更强,理论上能刻画更微小的晶体管。迄今无人证明X射线光刻机能以足够低的成本和足够高的产量实现商业化。但已有少数资金雄厚、积淀深厚的团队开始尝试。来自中国的力量同样在挑战EUV的统治。上个月,华为宣布研发出一种新型半导体架构,无需极紫外光刻便可制造尖端AI芯片。(科技日报)
