【无线芯片嵌入单晶金刚石后突破散热瓶颈】

钛媒体App 6月10日消息,美国麻省理工学院研究团队给氮化镓芯片嵌入一层超薄单晶金刚石,突破了高功率无线芯片散热瓶颈,并制备出性能创纪录的无线功率放大器,为6G通信、卫星互联网等高功率电子设备提供了新的芯片级热管理方案。

相关成果在2026年IEEE国际微波研讨会上发布。(科技日报)

来源: 钛媒体-快讯
产业标签 半导体长征/功率半导体/SiC/GaN器件
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